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光电二极管选型中的参数解析
发布日期: 2021-03-17
信息摘要:
  实际上,光电二极管的"响应速度"和"探测下限"是研究中经常提到的两个参数,该参数会对光电二极管选型产生何种影响呢?接下来,就随小编
  实际上,光电二极管的"响应速度"和"探测下限"是研究中经常提到的两个参数,该参数会对光电二极管选型产生何种影响呢?接下来,就随小编一起来了解一下这两个参数。
  一、响应速度
  通常用上升时间和截止频率来描述响应速度。响应速度主要受以下三个主要因素影响:
  1、由终端电容(Ct)和负载电阻(RL)决定的电路特性;
  2、耗尽层外载流子的扩散时间;
  3、载流子在耗尽的层渡越时间。
  与短波长光相比,长波长光往往激发出耗尽层外的载流子,因而扩散时间延长,响应速度变慢。除此之外,以下三种提高光电二极管响应速度的方法更为普遍:
  1、选用较低端电容(Ct)的光电二极管;
  2、降低电路中负载电阻(RL);
  3、通过增加反向电压(VR),还可以降低终端电容值(Ct),最终获得更快的响应速度。(注意,当反向电压增加时,暗电流增加。)
  二、检测下限
  检测下限通常用噪声等效功率来描述。检测下限主要取决于光电二极管在相应波长上的光灵敏度、光信号频率和光电二极管噪声特性。
  1、反向电压(VR)引起的暗电流(ID),VR越高,暗电流越大;
  2、分流电阻(Rsh)相关的热噪声:分流电阻越大,噪声电流就越小。当电路中没有反向电压(VR)时,这是需要考虑的最主要因素;
  3、不可避免地由光电流(信号)引起的散粒噪声电流。
  以上便是光电二极管选型中所需要考虑的参数。

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